[发明专利]一种电荷存储聚合物基复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 202011345511.9 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112646213B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 邰艳龙;武鹏程;朱珊珊;霍尔虎特;刘志勇;李光林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L23/28;C08L33/12;C08K3/22 |
| 代理公司： | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人： | 范盈 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及电荷存储材料技术领域，具体涉及一种电荷存储聚合物基复合材料的制备方法，通过半导体材料带隙调控提高了电荷存储聚合物材料的电荷储存能力。所述方法包括以下步骤：步骤一、将电荷存储聚合物溶解后配制成对应的聚合物溶液，按照半导体材料的添加量是电荷存储聚合物的万分之一至万分之五，将半导体材料添加至所述聚合物溶液中超声分散均匀后，得到复合溶液；步骤二、将复合溶液涂敷在基底上，将基底放于马弗炉中烘烤，温度范围为80℃到400℃，烘烤至溶剂全部挥发完毕，冷却后揭膜得到复合膜备用；步骤三、将得到的复合膜极化处理得到复合的电荷存储材料。本发明制备方法简单，且提升电荷存储材料电荷密度效果明显。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电荷 存储 聚合物 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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