[发明专利]一种电子元器件用抗中子辐照的防护材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202011346447.6 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112530618B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 吴晓宏;崔凯;卢松涛;洪杨;李杨;秦伟 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G21F1/12 | 分类号： | G21F1/12 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 裴闪闪 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电子元器件用抗中子辐照的防护材料及其制备方法。本发明属于辐照屏蔽材料及其制备领域。本发明的目的是为解决现有辐照屏蔽材料较厚而使航天器负载过重以及传统共混体系涂层的功能填料分散不均匀所导致抗辐照性能低下的技术问题。本发明的一种电子元器件用抗中子辐照的防护材料由树脂侨联层和功能金属层交替堆叠而成，最外层为功能金属层。制备方法：一、通过热喷涂，分段固化，制备树脂侨联层；二、采用磁控溅射技术，以稀土金属元素为靶材，在步骤一的树脂侨联层上镀覆功能金属层；三、交替重复10～30次，使防护材料最外层为功能金属层，得到辐照防护材料。本发明的防护材料在模拟剂量为100～200kGy的中子辐照下，辐射屏蔽率高达87.7％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子元器件 中子 辐照 防护 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011346447.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：水培蔬菜幼苗移苗机
- 下一篇：一种机械加工打磨装置
