[发明专利]一种基于6T单元的存储单元、存储阵列和存内计算装置有效
| 申请号： | 202011346678.7 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112133348B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 乔树山;史万武;尚德龙;周玉梅 | 申请（专利权）人： | 中科院微电子研究所南京智能技术研究院 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C11/41;G11C11/414;G11C11/416 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 杨媛媛 |
| 地址： | 211100 江苏省南京市江宁*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于6T单元的存储单元，所述存储单元包括PMOS管T1、PMOS管T2、NMOS管T3、NMOS管T4、NMOS管T5、NMOS管T6、NMOS管T7、NMOS管T8、NMOS管T9、NMOS管T10、电容C_U、电容C_D、字线WL、位线BL、位线BLB、读位线RBL_L、计算字线CWL_U、差分信号端CWLB_U、计算字线CWL_D、差分信号端CWLB_D和读位线RBL_R。本发明电路仅在计算过程中电容两端电压有变化时导通，通过电容耦合的计算方式节省了功耗，提高了能量效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 单元 存储 阵列 计算 装置 | ||
【主权项】：
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