[发明专利]在片多参数测量装置有效
| 申请号： | 202011348038.X | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112530825B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 吴亮;袁其响;李江夏;任轩邑;高捷;钱蓉;朱晖 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海明垒实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 施婷婷 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在片多参数测量装置，包括：毫米波测试系统；合路器，两个输入端分别连接毫米波测试系统的两个测试输出端，将多频段的测试信号施加至探针台；探针台；BDC组件，射频输入端连接探针台的输出端，射频输出端连接毫米波测试系统的测试输入端，噪声输出端连接所述毫米波测试系统的噪声输入端，通过开关切换使实现在片多参数测量。本发明适用于高达110GHz的晶圆级电性能参数的测试；减小由测试连接线缆等造成的测试误差；采用开关切换的方法提升了测试测量的执行效率，保证BDC组件的组成器件不受损坏；同时支持常温测试以及高低温测试；同时支持无源参数测试以及有源参数测试。 | ||
| 搜索关键词： | 参数 测量 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
