[发明专利]一种过渡金属二硒化物薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种过渡金属二硒化物薄膜的制备方法。所述制备方法包括：提供衬底；将所述衬底的预定区域暴露在过渡金属前驱体的氛围中，在所述衬底的预定区域形成过渡金属前驱体层；通过等离子体对硒醚类化合物进行解离，得到解离后的硒醚类化合物；将所述过渡金属前驱体层暴露在所述解离后的硒醚类化合物的氛围中，在所述衬底上形成过渡金属二硒化物薄膜。本发明所述制备方法可以获得高纯度、表面平整的过渡金属二硒化物薄膜。