[发明专利]一种用于镀镍管基的芯片低真空合金焊接方法在审
申请号: | 202011350632.2 | 申请日: | 2020-11-26 |
公开(公告)号: | CN112687555A | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 张超超;刘思奇;刘金丽;熊涛;阳永衡;董晶;杨正清 | 申请(专利权)人: | 贵州振华风光半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人: | 刘安宁 |
地址: | 550018 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于镀镍管基的芯片低真空合金焊接方法,根据需要焊接的芯片尺寸,通过调节真空合金焊峰值恒温阶段的真空度进入低真空,增强合金焊接系统的热传导率,提升合金焊料与管基镀镍层的润湿性,使合金焊料充分润湿管基镀镍层。具体包括等离子清洗镀镍管基、选取比芯片尺寸略大合金焊片、芯片放置、压块放置、放入真空烧焊炉、抽中真空、加热、输入氮气调节真空度为低真空、低真空合金焊接、吹氮气冷却凝固等工艺步骤。解决了中真空环境中合金焊料片在镀镍管基上的润湿性较差,造成芯片与镀镍管基的芯片装结区焊接界面产生大量空洞的等问题。广泛应用于镀镍基底上的芯片低真空合金焊,也可以推广到其它镀层基底的芯片低真空合金焊中。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 镀镍管基 芯片 真空 合金 焊接 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造