[发明专利]阻变存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 202011353688.3 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112420923A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 田伟思;邹荣;王奇伟;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阻变存储器及其制造方法，所述阻变存储器包括：半导体衬底、第一电极、第一插层、阻变层、第二插层和第二电极，所述第一电极覆盖部分所述半导体衬底，所述第一插层覆盖所述第一电极，并且所述第一插层的电阻率小于所述阻变层的电阻率，所述阻变层覆盖所述第一插层，所述第二插层覆盖所述阻变层，并且所述第二插层与所述阻变层中均具有氧原子，所述第二电极覆盖所述第二插层，由于所述第二插层与所述阻变层中均具有氧原子，当阻变存储器施加正电压后，所述阻变层与所述第二插层中的氧原子均会向所述第二电极移动，由此可以增加氧空位的浓度，从而有助于氧空位导电细丝的产生，进而提高阻变存储器的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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