[发明专利]一种用于异质结太阳电池的复合结构透明导电薄膜及其制备方法在审
申请号: | 202011354923.9 | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN112614902A | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 张悦;陈仁钊;刘曙光;庞先标 | 申请(专利权)人: | 北京绿兴能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18;C23C14/35;C23C14/08;C23C16/40;C23C16/56 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 吕玲 |
地址: | 100010 北京市东城*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种用于异质结太阳电池的复合结构透明导电薄膜及其制备方法,该透明导电薄膜包括依次连接的硅衬底、ITO薄膜L1层、BZO薄膜L2层、ITO薄膜L3层,其中,ITO薄膜L1层采用磁控溅射生长,BZO薄膜L2层采用LPCVD方法生长,ITO薄膜L3层采用磁控溅射生长。该透明导电薄膜层用于异质结太阳电池制备中,可以降低异质结电池的表面反射率,提高其短路电流密度,并保持良好的接触性能(不降低填充因子FF)。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 异质结 太阳电池 复合 结构 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的