[发明专利]一种用于异质结太阳电池的复合结构透明导电薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011354923.9 申请日: 2020-11-27
公开(公告)号: CN112614902A 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 张悦;陈仁钊;刘曙光;庞先标 申请(专利权)人: 北京绿兴能源科技有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/18;C23C14/35;C23C14/08;C23C16/40;C23C16/56
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 吕玲
地址: 100010 北京市东城*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开一种用于异质结太阳电池的复合结构透明导电薄膜及其制备方法,该透明导电薄膜包括依次连接的硅衬底、ITO薄膜L1层、BZO薄膜L2层、ITO薄膜L3层,其中,ITO薄膜L1层采用磁控溅射生长,BZO薄膜L2层采用LPCVD方法生长,ITO薄膜L3层采用磁控溅射生长。该透明导电薄膜层用于异质结太阳电池制备中,可以降低异质结电池的表面反射率,提高其短路电流密度,并保持良好的接触性能(不降低填充因子FF)。
搜索关键词: 一种 用于 异质结 太阳电池 复合 结构 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
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