[发明专利]高强度低介电性聚酰亚胺多层膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202011355204.9 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112409621B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 姬亚宁;青双桂 | 申请（专利权）人： | 桂林电器科学研究院有限公司 |
| 主分类号： | C08J7/04 | 分类号： | C08J7/04;C08J5/18;C08L79/08;C08K3/16;C09D179/08;C09D5/20;C09D7/61;C08G73/10 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人： | 唐智芳 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高强度低介电性聚酰亚胺多层膜及其制备方法，属于聚酰亚胺材料技术领域。本发明所述多层膜包括芯层及形成于芯层上和/或下表面的表层，所述芯层为聚酰亚胺薄膜，其中掺有占芯层1～5wt％的氟化物；所述表层为聚酰亚胺薄膜，具体由占5～30mol％的式(I)所示重复单元和余量的低极性聚酰亚胺聚合物组成；在表层中掺杂有占表层5～15wt％的氟化物。本发明所述多层膜具有优良的介电性和剥离强度的同时还具有良好的热稳定性和机械强度，满足高频条件下的信号传输要求。其中所述式(I)表示的重复单元结构如下： |
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| 搜索关键词： | 强度 低介电性 聚酰亚胺 多层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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