[发明专利]一种提高高丰度铈磁体晶界扩散效果的方法在审
| 申请号： | 202011355320.0 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112530689A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 徐鹏;周军;孙红军;宋伟;刘军;翟厚勤;聂明;陈静 | 申请（专利权）人： | 中钢天源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 马鞍山市金桥专利代理有限公司 34111 | 代理人： | 鲁延生 |
| 地址： | 243000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及烧结钕铁硼磁性材料领域，具体涉及一种提高高丰度铈磁体晶界扩散效果的方法，包括两级扩散，其特征在于，包括：将镨、钕合金铸片，氢碎后磨制成粉末，与溶剂混合，涂覆于含铈磁体，高温扩散；再将铽合金铸片，氢碎后磨制成粉末，与溶剂混合，涂覆于一级扩散的产品表面，再高温二级扩散得到最终产品的方法，该方法通过两级扩散，可使含铈磁体的矫顽力涨幅提高至9.12kOe，而目前在含铈磁体中进行晶界扩散绝大多数的矫顽力涨幅停留在3kOe‑5kOe之间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 高丰度铈 磁体 扩散 效果 方法 | ||
【主权项】：
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