[发明专利]一种用于控制界面处金属间化合物生长的低熔点焊料在审
| 申请号： | 202011355379.X | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112658526A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 刘影夏;蒲力 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | B23K35/26 | 分类号： | B23K35/26 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 张洁;周蜜 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于合金材料技术领域，应用于电子器件产品封装，具体涉及一种用于控制界面处金属间化合物生长的低熔点焊料。以所述焊料的总质量为100％计，所述焊料的组成及其质量百分数为Bi：30‑58％；In：0‑30％；Zn：0.8‑2.0％；余量为Sn。所述焊料在保证了焊料润湿性能和力学性能的前提下，大幅度降低了焊料的熔点及界面处金属间化合物的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 控制 界面 金属 化合物 生长 熔点 焊料 | ||
【主权项】：
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