[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202011355736.2 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN113053843A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 加藤辽一;池田良成;村田悠马 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/498;H01L25/16;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 杨敏;包跃华 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其具有能够降低电感的连接机构。电容器具有包括电容器元件的壳体、第一连接端子、第二连接端子、以及设置于第一连接端子与第二连接端子之间的第二绝缘片，第一连接端子、第二绝缘片和第二连接端子从壳体向外部延伸出。半导体模块具有第一功率端子、第一绝缘片和第二功率端子依次重叠而成的端子层叠部。该第一功率端子具有与第一连接端子导电连接的第一接合区，该第二功率端子具有与第二连接端子导电连接的第二接合区，该第一绝缘片具有在俯视时向从第二接合区朝向第一接合区的方向延伸的平台部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011355736.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
