[发明专利]红外热电堆阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 202011357595.8 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN114566585A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 荆二荣;徐德辉 | 申请（专利权）人： | 上海烨映微电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32;H01L35/34;H01L21/3065;B81B7/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种红外热电堆阵列及其制备方法，该方法包括：提供正面形成有呈阵列分布的红外热电偶衬底；于衬底背面形成具有外缘介质层及内部介质层的图形化的介质层及释放槽刻蚀窗口；于外缘介质层上形成光刻胶层；藉由释放槽刻蚀窗口采用深反应离子刻蚀刻蚀第一预设深度的衬底；去除内部介质层；采用深反应离子刻蚀刻蚀外缘介质层内部裸露出的衬底，形成呈阵列分布的凸台。采用本方法制备的红外热电堆阵列，降低红外热电堆的热导及破膜风险；另外，凸台可迅速导热，使冷结区温度与环境温度保持一致，同时，在刻蚀形成该凸台时，只需要考虑剩余衬底的侧腐蚀，大大降低侧腐蚀对凸台的影响，从而大大减小凸台的尺寸，利于阵列集成度的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 热电 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海烨映微电子科技股份有限公司，未经上海烨映微电子科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011357595.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电动机控制器
- 下一篇：一种大型铸件铸造冷却系统
