[发明专利]光电传感器在审
申请号: | 202011359459.2 | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN112466899A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 周正三;黄振昌;范成至 | 申请(专利权)人: | 神盾股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 宋兴;刘芳 |
地址: | 中国台湾台北*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种光电传感器,包括基板及多个像素结构,这些像素结构配置于基板上,且排成阵列。每一像素结构包括晶体管及光电二极管,光电二极管包括第一电极、感光层及第二电极。第一电极与晶体管呈侧向并排,感光层的第一部分配置于第一电极上,且感光层的第二部分从第一部分延伸至晶体管上方。第二电极配置于感光层上,且位于第一电极与晶体管上方。 | ||
搜索关键词: | 光电 传感器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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