[发明专利]一种PERC单晶电池用硅片及其退火方法与应用有效
申请号: | 202011360328.6 | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN112490326B | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
发明(设计)人: | 方超炎;何悦;任勇;张逸凡 | 申请(专利权)人: | 横店集团东磁股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
地址: | 322118 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种PERC单晶电池用硅片的退火方法及PERC单晶电池用硅片与应用,所述退火方法包括以下步骤:(1)第一绝对压力下送入硅片,并通入氮气吹扫;(2)抽真空至第二绝对压力,并通入氮气吹扫;(3)保持第三绝对压力,并通入氮气吹扫;(4)保持第四绝对压力,停止通入氮气,进行检漏;(5)保持第五绝对压力,通入氧气氧化,同时通入氮气吹扫;(6)第六绝对压力下取出硅片,并通入氮气吹扫;其中,步骤(1)至步骤(6)均在660‑700℃的恒温下进行。所述退火方法改善了PERC单晶电池用硅片的亲水性,同时有效去除了硅片表面的残留杂质,减少了外观小白点的产生。 | ||
搜索关键词: | 一种 perc 电池 硅片 及其 退火 方法 应用 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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