[发明专利]一种E/D-mode GaN HEMT集成器件的制备方法在审
| 申请号： | 202011360357.2 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112466941A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 蒋洋;于洪宇;汪青 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种E/D‑mode GaN HEMT集成器件的制备方法。该制备方法首先在衬底上形成至少两个GaN HEMT异质结结构，其中，异质结结构包括依次叠层设置的GaN层、空间隔离层以及势垒层，以及在异质结结构远离衬底的一侧形成源极欧姆接触电极和漏极欧姆接触电极。然后，通过在异质结结构远离衬底的一侧采用干法氧化‑湿法刻蚀重复循环的方式形成第一栅极开孔，在第一栅极开孔处形成第一栅极，形成第二栅极开孔和第二栅极，形成源极和漏极，实现了D‑mode GaN HEMT器件和E‑mode GaN HEMT器件在材料和工艺上的兼容，从而实现了增强型和耗尽型器件的集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mode gan hemt 集成 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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