[发明专利]具有三角形横向外围的半导体柱及集成组合件

摘要

本申请案涉及具有三角形横向外围的半导体柱及集成组合件。一些实施例包含一种柱，其含有半导体材料并且其主要沿第一方向延伸。沿正交于所述第一方向的第二方向通过所述柱的横截面通过所述半导体材料且包含经配置为三边形的所述柱的横向外围。一些实施例包含一种具有交替的第一及第二层阶的竖直堆叠的集成组合件。所述第一层阶包含导电结构且所述第二层阶是绝缘的。沟道材料柱延伸通过所述竖直堆叠。所述沟道材料柱中的每一者具有自顶向下横截面，所述横截面包含经配置为具有修圆顶点的等边三角形的三边形的横向外围。