[发明专利]半导体芯片缺陷定位方法和定位模块有效
| 申请号： | 202011362183.3 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112414943B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 叶林 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/01 | 分类号： | G01N21/01;G01N21/95 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体芯片缺陷定位方法，包括：若不是合die扫描程式确认die内cell区域pitch，将自对准十字定位到die corner的位置，将自对准十字原点到die corner的距离表示为X*Y；若是合die扫描程式获取合die的合叠尺寸M*N，通过GDS确认单个die的尺寸A*B，将自对准十字原点在M*N区间中移动mA*nB的距离；通过X*Y定义聚焦尺寸，在X*Y区域内移动扫描镜头；将所有移动扫描镜头拍摄图像叠加计算pitch灰阶值均值为α；当其中某张pitch图像灰阶值与灰阶值均值α的差值大于阈值时，移动扫描镜头到该pitch图像位置，通过SEM图像手动确定是否为缺陷信号；若是缺陷信号，则选择该pitch为缺陷坐标原点设定位置；若不是缺陷信号，则继续选择下一张的pitch图像手动确定是否为缺陷信号，直到缺陷的pitch图像出现。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 缺陷 定位 方法 模块 | ||
【主权项】：
暂无信息
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