[发明专利]一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法在审
| 申请号： | 202011363122.9 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN114540953A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 许志 | 申请（专利权）人： | 福建新峰二维材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/14;C30B28/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，方法如下：直拉单晶圆棒去除边皮后得到无圆角的单晶方棒；垂直晶硅生长方向将单晶方棒切割成大籽晶块；所述单晶方棒或边皮切割成小籽晶块；将所述大、小籽晶块铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层；在籽晶层上放置原生多晶硅料、单晶边皮及头尾边等循环料；将装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭或多晶硅锭；将硅锭进行开方，开方后得到小方锭；将小方锭进行切片后得到铸造单晶硅片或多晶硅片。本发明小籽晶块与大籽晶块接缝处形成的功能晶界阻止坩埚四周的多晶晶粒往内部生长，降低多晶占比，将大籽晶块设计成长条形，减少籽晶接缝，减少了硅片的位错缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 缺陷 多晶 铸造 制备 方法 | ||
【主权项】：
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