[发明专利]半导体器件及制造方法在审
| 申请号： | 202011363671.6 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112466952A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 朱小娜 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/1159 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，包括铁电层衬底、栅极、源极、漏极、浅沟槽隔离结构和侧墙，所述铁电层衬底自下而上包括第一硅层、第一氧化层、铁电层、第二氧化层和第二硅层。所述介电层的材料包括二氧化铪基高介电常数材料或二氧化铪基材料中的一种，降低了亚阈值摆幅，所述铁电层的材料为铁电性材料，能够利用底电极写入不同极化方向对沟道开启进行控制，读出时采用表面栅，降低对所述铁电层的影响，写入时采用底部栅，用作存储器件时的写入与读出分离，提高了器件的可靠性。本发明还提供了一种半导体器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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