[发明专利]MEMS探针测试基座超精密光刻定位方法有效
| 申请号： | 202011365963.3 | 申请日： | 2020-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN112462576B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 金永斌;贺涛;丁宁;朱伟 | 申请（专利权）人： | 法特迪精密科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明MEMS探针测试基座超精密光刻定位方法属于精密半导体技术领域；所述MEMS探针测试基座超精密光刻定位方法首先调整多孔转盘位置，然后将保护膜粘贴或镀膜在基板上，并将基板放置在上表面与凸透镜的焦平面重合的位置，在控制副光源发出平行光，然后驱动多孔转盘转动，每次在第一透光孔转动到矩形透光窗口位置时，控制主光源发光，并由凸透镜汇聚到基板上表面完成光刻定位，最后在多孔转盘转动一周后，完成基板上一排插孔的光刻定位；本发明MEMS探针测试基座超精密光刻定位方法，通过采用一种全新的光学定位手段，能够在制作探针测试基座的基板上实现亚微米级光学定位。 | ||
| 搜索关键词： | mems 探针 测试 基座 精密 光刻 定位 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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