[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件JFET区自对准掺杂工艺有效
| 申请号： | 202011365991.5 | 申请日： | 2020-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN112563140B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 陈允峰;黄润华;李士颜;刘昊;刘强;柏松 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件JFET区自对准掺杂工艺，采用自对准的方法实现注入掺杂，对具体的自对准加工工艺，又细分为两种实现路线，一种是通过表面平整化的工艺方案，另一种是设计合适的JFET区宽度和多晶硅掩膜厚度比例，从而直接通过全片刻蚀工艺实现JFET区和p阱区的自对准。本发明能够在有效降低JFET区域电阻的同时，避免JFET区未注入完整，或者单边沟道被注入导致性能差异的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mosfet 器件 jfet 对准 掺杂 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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