[发明专利]一种高纯四硼化硅粉末及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011366680.0 申请日: 2020-11-27
公开(公告)号: CN114538457B 公开(公告)日: 2023-08-15
发明(设计)人: 张庆猛;陈均优;周敏;杨志民;杨剑 申请(专利权)人: 有研工程技术研究院有限公司
主分类号: C01B35/02 分类号: C01B35/02
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 刘秀青
地址: 101407 北京市怀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种高纯四硼化硅粉末及其制备方法。该高纯四硼化硅粉末采用结晶度在40%‑60%之间的硼粉,选择硼粉和硅粉以3.2∶1‑4∶1的硼硅摩尔比例在气氛炉中高温反应合成,具体包括以下步骤:(1)将硅粉和硼粉按比例称重;(2)将硅粉和硼粉放入混料机中混合均匀;(3)将混合均匀的粉末装入刚玉坩埚中,并将坩埚放入气氛烧结炉中,使用高纯氩气对气氛炉炉腔进行清洗,直至炉腔内氧含量低于30ppm;(4)在氩气气氛保护下以5℃/min的速率升温至1280‑1350℃,保温2‑3h,以5℃/min的速度降温至室温;(5)将烧结后的粉末使用行星球磨机球磨破碎。本发明的高纯四硼化硅粉末经XRD测定全部物相为SiB4相,且除Si和B外其他杂质含量小于1%。
搜索关键词: 一种 高纯 四硼化硅 粉末 及其 制备 方法
【主权项】:
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