[发明专利]一种焦平面倒装互连铟柱的制备方法在审
| 申请号： | 202011369154.X | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112490137A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 刘志方;杨晓杰 | 申请（专利权）人： | 安徽光智科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L31/101 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文;黄华莲 |
| 地址： | 239000 安徽省滁州市琅琊区琅琊经济*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种焦平面倒装互连铟柱的制备方法，包括以下步骤：对准：将具有若干个通孔的蒸镀掩膜板与芯片进行对准并固定形成组件，所述芯片上的电极与各所述通孔对应并外露；蒸镀：在真空环境下，采用热蒸发镀膜的方式在所述组件表面蒸镀铟膜，当所述铟膜厚度达到预定厚度后停止蒸镀；剥离：将所述蒸镀掩膜板从所述芯片上取下，所述蒸镀掩膜板上的铟膜随掩膜板而剥离，所述通孔对应处所述电极上的铟柱得以保留，获得在电极上具有铟柱的芯片。这种焦平面倒装互连铟柱的制备方法避开了复杂的厚胶光刻工序，大大降低了铟柱制备的难度，且铟柱成品均一性更好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 倒装 互连 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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