[发明专利]一种低电容高压放电管及其制备方法

摘要

本发明公开一种低电容高压放电管，N型硅片两面设有N+隔离区，N型硅片两面设有P‑BASE区，N型硅片和P‑BASE区上有P++区，P‑BASE区上方P++区和N+隔离区之间有P‑BASE区中N+区，N型硅片两面两边上设有玻璃钝化层，并在玻璃钝化层上湿法腐蚀出沟槽，N型硅片上的P‑BASE区上沉淀有金属层，金属层两侧的P‑BASE区设有氧化层和LTO层。步骤：1）选择N型硅片；2）氧化；3）N+隔离区；4）形成P++肼区；5）形成P‑BASE区；6）进行P‑BASE区中N+区光刻；7）台面光刻，腐蚀出沟槽；8）硼磷硅玻璃钝化、接触孔刻蚀；9）LTO层，沉积2000‑8000Å的LTO层；10）形成电极，形成金属层；11）合金。通过横向侧腐，减小了N+隔离区处的PN结横截面积，从而减小了电容值，有效降低了器件的残压，降低电容值。