[发明专利]一种制备非金属核素标准平面源的方法在审
| 申请号： | 202011370990.X | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112695355A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 陈克胜;夏文;徐利军;陈义珍;林敏;张卫东;罗瑞;肖振红 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | C25D11/02 | 分类号： | C25D11/02;C25D11/04;C25D11/16;C25D11/18 |
| 代理公司： | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人： | 任晓航;周敏毅 |
| 地址： | 102413 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于放射监测技术领域，涉及一种制备非金属核素标准平面源的方法。所述的方法包括如下步骤：(1)采用喷涂工艺对预制备的标准平面源基体非活性区部分进行喷涂保护；(2)采用阳极氧化预处理方式对预制备的标准平面源基体活性区表面进行微孔制备，获得一定厚度微孔后，进行放射性核素吸附；(3)采用热水封闭法进行封闭处理，形成均匀、稳定的放射性平面源，经定值后作为标准平面源。利用本发明的制备非金属核素标准平面源的方法，解决了非金属核素无法采用常规电镀等方法制备标准平面源的难题，使制得标准平面源获得均匀、稳定的放射性活性区，具有免脱落沾污的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 非金属 核素 标准 平面 方法 | ||
【主权项】：
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