[发明专利]晶圆处理装置及晶圆处理方法在审
| 申请号： | 202011372689.2 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112509969A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 吕相林 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 401332 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆处理装置及晶圆处理方法，所述晶圆处理装置包括：晶圆载具，用于承载晶圆；公转驱动装置，能够带动晶圆载具沿着一公转轴旋转，所述公转轴位于晶圆载具外部；自转驱动装置，所述自转驱动装置能够带动晶圆载具沿着一自转轴旋转，所述自转轴位于晶圆载具的圆心并与晶圆表面垂直。所述晶圆处理方法包括清洗步骤和药液甩脱步骤，所述清洗步骤是采用一公转驱动装置带动晶圆沿着一公转轴旋转；所述药液甩脱步骤是采用一自转驱动装置带动晶圆沿着一自转轴旋转。本发明旨在通过将晶圆处理装置设计为公转与自转相结合的方式来对晶圆进行刻蚀，优化其总厚度偏差和一致性，控制晶圆的刻蚀速率，同时最大程度的提高药液的利用率，降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
