[发明专利]用于去除金属硬掩模和蚀刻后残余物的具有Cu/W相容性的水性制剂在审
申请号: | 202011374468.9 | 申请日: | 2014-07-31 |
公开(公告)号: | CN112442374A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 陈丽敏;斯蒂芬·里皮;达妮埃拉·怀特;埃马纽尔·I·库珀 | 申请(专利权)人: | 恩特格里斯公司 |
主分类号: | C09K13/08 | 分类号: | C09K13/08;B81C1/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 李婷 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及用于去除金属硬掩模和蚀刻后残余物的具有Cu/W相容性的水性制剂。本发明提供可用于从上面具有氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的微电子器件相对于金属导电材料例如钨和绝缘材料而言选择性去除所述氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的组合物。所述去除组合物具有低pH,并含有至少一种氧化剂和至少一种蚀刻剂以及用于使金属腐蚀最小化的腐蚀抑制剂和用于保护电介质材料的钝化剂。 | ||
搜索关键词: | 用于 去除 金属 硬掩模 蚀刻 残余物 具有 cu 相容性 水性 制剂 | ||
【主权项】:
暂无信息
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