[发明专利]一种电子器件及其制作方法、电子设备在审

专利信息
申请号: 202011376950.6 申请日: 2020-11-30
公开(公告)号: CN114582974A 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 余林蔚;张廷;刘宗光;王军转;刘俊彦;陈英杰;刘至哲;吴欣凯;刘云飞 申请(专利权)人: 荣耀终端有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 贾莹
地址: 518040 广东省深圳市福田区香蜜湖街道*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请实施例提供一种电子器件及其制作方法、电子设备,涉及半导体技术领域。用于在平面内生长纳米线。该电子器件可以包括衬底以及至少一条纳米线。其中,衬底上具有至少一条沟槽。纳米线嵌入沟槽内。该沟槽具有至少一个槽壁,一条纳米线沿沟槽的一个槽壁延伸,且与沟槽的槽底相接触。沟槽的槽壁具有导向作用,使得纳米线可以沿槽壁的延伸方向,在沟槽的槽底所在的平面内生长,有利于电子器件的大规模制作。上述沟槽的槽底所在的平面可以与电路板用于承载电子器件的表面平行。因此当纳米线在沟槽的槽底所在的平面内生长时,有利于电子器件在电路板上的大规模集成。
搜索关键词: 一种 电子器件 及其 制作方法 电子设备
【主权项】:
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