[发明专利]半导体结构制备方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202011380582.2 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114582793A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 钱忠健;陈晓亮;陈天 | 申请（专利权）人： | 无锡华润微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 杨明莉 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体结构制备方法及半导体结构，包括：提供衬底，于所述衬底内形成浅沟槽；采用热氧化工艺形成覆盖所述浅沟槽的底部和侧壁的衬垫层；采用沉积工艺于所述衬垫层的表面形成第一氧化层；填充所述浅沟槽。本申请中采用热氧化工艺形成覆盖所述浅沟槽的底部和侧壁的衬垫层，可以消除刻蚀浅沟槽的过程形成的损伤；采用沉积工艺于所述衬垫层的表面形成第一氧化层，可以与所述衬垫层一起为后续填充所述浅沟槽时提供保护层。由于沉积工艺形成第一氧化层的过程中不会消耗衬底中的硅，避免在沟槽底部的拐角处形成较厚的氧化硅对有源区施加应力，同时避免导致STI结构产生顶部翘曲现象，从而有效地提高了制备半导体器件结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
