[发明专利]一种低饱和窄线宽旋磁材料及其制备方法

摘要

本发明涉及一种低饱和窄线宽旋磁材料及其制备方法，所述旋磁材料的元素组成为：BiAYBGd(3‑A‑B‑2a‑2c‑d)Ca(2a+2c+d+f)Fe(5‑a‑b‑c‑d‑e‑f)VaAlbNbbZrcIndSneMnfO12；其中，0.8≤A≤1.4，1.6≤B≤2.2，0≤a≤0.8，0.001≤b≤0.28，0≤c≤0.75，0≤d≤0.7，0≤e≤0.7，0≤f≤0.7，0≤g≤0.7。本发明提供的微波铁氧化体通过组分的合理设计，通过调整各元素的含量使得旋磁材料具有低饱和低损耗窄线宽高居里温度高介电常数的性能，通过将Bi3+最大取代量控制为1.4mol。掺入Zr4+取代八面体位Fe3+，降低各向异性常数K1从而降低线宽，Nb5+取代Fe3+抑制其它相生成，V5+取代Fe3+降低4πMs同时能够使居里温度不恶化。