[发明专利]显示装置及其制造方法在审
申请号: | 202011382352.X | 申请日: | 2015-12-17 |
公开(公告)号: | CN112349763A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 高在庆;罗银渽;赵玟俊;崔贤俊 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 郭文峰;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种显示装置及其制造方法。该显示装置包括:第一基板,包括具有多个像素的显示区域和在显示区域周围的外围区域;薄膜晶体管,位于第一基板上;像素电极层,位于薄膜晶体管上并且包括位于显示区域中的多于一个的像素电极;像素限定层,位于像素电极层上并且包括与电压传输电极叠置的外围部分。外围部分包括间隔件和倾斜部分,倾斜部分连接到间隔件并且位于间隔件的第一侧,倾斜部分具有凹的倾斜表面。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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