[发明专利]临时键合方法在审
| 申请号： | 202011383304.2 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112509928A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 张卫;刘子玉;陈琳;孙清清 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人： | 曹寒梅 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种临时键合方法，属于半导体技术领域，能够节省材料成本，降低解键合时间，而且不存在热应力。一种临时键合方法，包括：在制备了正面器件层的衬底的正面上形成保护层；利用再布线的方式在所述保护层上形成嵌套结构的凸起结构；在用于临时键合的载板上形成所述嵌套结构的凹槽结构；以及将所述凹槽结构与所述凸起结构进行嵌套互锁。 | ||
| 搜索关键词： | 临时 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
