[发明专利]一种生产NLDMOS器件的方法及NLDMOS器件在审
| 申请号： | 202011384126.5 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112510095A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 宋利军;张子敏 | 申请（专利权）人： | 无锡先瞳半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人： | 朱鹏 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种生产NLDMOS器件的方法，还提供了通过该方法得到的NLDMOS器件。该方法包括首先提供一P+型衬底；然后在所述低阻P+型衬底两侧形成STI区域和Pwell层；再在所述Pwell层的上方生成栅极区域；然后在所述STI区域之间生成漏极区域和源极区域；最后在所述Pwell层的底部注入硼元素，然后将Body的电极从所述Pwell层的底部引出，并形成Body区域；本发明提供的方法生产得到的NLDMOS器件面积大大减小，使电流检测功能的器件可集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生产 nldmos 器件 方法 | ||
【主权项】：
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