[发明专利]CMOS集成器件的形成方法在审
| 申请号： | 202011384545.9 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112201656A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 周儒领;吴佳特;詹奕鹏 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种CMOS集成器件的形成方法，包括：在衬底内形成P型阱区和N型阱区；在衬底表面形成核心NMOS管的栅极和I/O NMOS管的栅极，同时，在衬底的表面形成核心PMOS管的栅极和I/O PMOS管的栅极；形成覆盖多个栅极的氮化硅第一侧墙；通入含氮气体，以消除所述氮化硅第一侧墙的表面的硅悬空键；向P型阱区分别注入离子形成核心NMOS管的LDD区和I/O NMOS管的LDD区；向N型阱区分别注入离子形成核心PMOS管的LDD区和I/O PMOS管的LDD区。通过消除氮化硅第一侧墙表面的硅悬空键，防止氮化硅表面的硅悬空键被氧化成二氧化硅，从而减少氮化硅第一侧墙的厚度在后续制程中的损失。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 集成 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
