[发明专利]存储器件的制作方法

摘要

本申请公开了一种存储器件的制作方法，包括：对形成于衬底上的存储器件和测试器件表面的间隔层进行干法刻蚀；对间隔层进行第一次湿法刻蚀，对存储器件和测试器件的有源区的间隔层进行去除；进行离子注入；对间隔层进行第二次湿法刻蚀，使存储器件的字线，测试器件的栅极以及有源区的衬底暴露。本申请通过对间隔层进行干法刻蚀后，依次通过第一湿法刻蚀、离子注入和第二次湿法刻蚀，去除衬底表面、存储器件字线上方和存储器件的侧墙表面的间隔层，由于对干法刻蚀后的湿法去除过程进行了分解，提高了对间隔层进行去除的一致性且能够更为彻底地去除侧墙表面的间隔层，提高了器件的制造良率。