[发明专利]开关器件结构及其制备方法、薄膜晶体管膜层、显示面板在审
| 申请号： | 202011388074.9 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112530978A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 赵梦 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张筱宁;宋海斌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种开关器件结构及其制备方法、薄膜晶体管膜层、显示面板。该开关器件结构，包括：位于基材层的一侧的第一栅极结构；位于第一栅极结构和基材层的一侧的第一缓冲层；位于第一缓冲层远离基材层的一侧的第一源漏极结构和氧化物半导体结构，氧化物半导体结构与第一源漏极结构的一部分接触；位于第一源漏极结构和氧化物半导体结构远离第一缓冲层的一侧的第一绝缘层；位于第一绝缘层远离第一缓冲层的一侧的第二栅极结构和第二源漏极结构，第二源漏极结构与第一源漏极结构的另一部分电连接。本申请实施例可有效提高开关器件结构中氧化物半导体结构的稳定性，降低氧化物半导体结构的漏电性，进而降低开关器件结构的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 开关 器件 结构 及其 制备 方法 薄膜晶体管 显示 面板 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
