[发明专利]一种低钳位电压ESD防护结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011389234.1 | 申请日： | 2020-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN112687679A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 蒲石;田泽;谢运祥;郎静;邵刚 | 申请（专利权）人： | 西安翔腾微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 西安匠成知识产权代理事务所(普通合伙) 61255 | 代理人： | 商宇科 |
| 地址： | 710054 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种低钳位电压ESD防护结构及其制备方法。本发明包括P型衬底、N型外延层、PWELL区、第一N+接触区、N+齐纳接触区、第一P+接触区和第二N+接触区，P型衬底上方为N型外延层，PWELL区和第二N+接触区位于N型外延层内部上方，第二N+接触区位于PWELL区右方,第一N+接触区、N+齐纳接触区，第一P+接触区位于PWELL区内部上方；N+齐纳接触区包围第一N+接触区，第一P+接触区位于N+齐纳接触区右方。本发明利用NPN晶体管发射区重掺杂引起的高俄歇复合几率，从而大大降低NPN晶体管的放大系数，实现更高的维持特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低钳位 电压 esd 防护 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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