[发明专利]半色调掩膜版和薄膜晶体管阵列基板制造方法在审
| 申请号： | 202011393349.8 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112526818A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 卓恩宗;张勇;张合静;余思慧 | 申请（专利权）人： | 北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 张志江 |
| 地址： | 536000 广西壮族自治区北海市工业园区北海大*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本申请公开一种半色调掩膜版和薄膜晶体管阵列基板制造方法，该半色调掩膜版应用于薄膜晶体管阵列基板的制程中，所述半色调掩膜版上设有用于蚀刻薄膜晶体管的栅极上静电环的图形，所述半色调掩膜版被划分为：全透光区域，用于定义静电环的外结构；至少两个遮光区域，相互间隔设置，用于定义静电环的连接端；以及半透光区域，设于至少两个所述遮光区域之间，用于定义所述静电环的图形；其中，所述半透光区域对制程所采用的入射光的透射率为25％‑40％。本申请旨在提供一种提高TFT阵列基板静电释放效果，且提高良品率的半色调掩膜版和薄膜晶体管阵列基板制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 色调 掩膜版 薄膜晶体管 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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