[发明专利]气密性平面合成模块、混合功率合成装置及实现方法有效
| 申请号： | 202011394999.4 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112201916B | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 商桂川 | 申请（专利权）人： | 四川斯艾普电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/213 | 分类号： | H01P1/213;H01P11/00;G01R31/28 |
| 代理公司： | 成都诚中致达专利代理有限公司 51280 | 代理人： | 曹宇杰 |
| 地址： | 610000 四川省成都市成华区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 气密性平面合成模块、混合功率合成装置及实现方法，方法包括：使用功率芯片、平面合成电路、射频绝缘子、馈电绝缘子、壳体、封帽盖、波导口盖、绝缘子盖等组装成气密性平面合成模块，并通过螺钉将低频板、E‑T结和两个气密性平面合成模块组装实现气密性混合功率合成。采用了平面电路合成和波导网络合成的混合方式，实现了多路功率芯片的小型化大功率合成，适合各类标准波导口的功率合成。同时本发明的方法，在保证混合合成的前提下，实现了功率芯片的气密性设计，可提高产品的长期使用可靠性，实用于功率芯片类型的功率合成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 气密性 平面 合成 模块 混合 功率 装置 实现 方法 | ||
【主权项】：
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