[发明专利]一种深紫外LED外延片及其制造方法在审
| 申请号： | 202011395103.4 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112331751A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 311222 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种深紫外LED外延片，属于半导体光电子技术领域，包括LED外延片上设置于衬底和电子阻挡层之间的缓冲层，所述缓冲层为多层宽禁带直接带隙半导体设置构成多层子缓冲层，不同层宽禁带直接带隙半导体的带隙能不全相同。本发明还提供了一种深紫外LED外延片制造方法。本发明基于简单的多缓冲层结构，使得工艺简单可控，可在常规深紫外LED外延结构加工工艺上进行改进，便于实际推广和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 led 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于至芯半导体（杭州）有限公司，未经至芯半导体（杭州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011395103.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
