[发明专利]一种超高增益有机薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202011397209.8 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112531112A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 王欣然;罗中中;施毅 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 吴飞 |
| 地址： | 210008 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开一种超高增益有机薄膜晶体管及其制备方法。该有机薄膜晶体管包括衬底、介电层、半导体沟道层和源/漏电极，其中介电层为铁电性氧化物薄膜，半导体沟道层为有机分子薄膜。其制备方法包括如下步骤：在衬底表面生长铁电性氧化物薄膜作为介电层；在介电层表面生长有机分子薄膜作为半导体沟道层；制备源/漏电极。本发明采用铁电性氧化物作为介电层，其引入的负电容效应在有机薄膜晶体管中打破了玻尔兹曼极限，获得了室温下小于60mV/dec的亚阈值摆幅和大于38.7S/A的跨导效率，本征增益达到4.7×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 超高 增益 有机 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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