[发明专利]一种分布式反馈激光器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011397783.3 申请日: 2020-12-04
公开(公告)号: CN112531459B 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 郭银涛;王俊;程洋;肖啸 申请(专利权)人: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
主分类号: H01S5/12 分类号: H01S5/12;H01S5/32;H01S5/323
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 项凯
地址: 215000 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种分布式反馈激光器及其制备方法,分布式反馈激光器包括:InGaAlAs半导体层;P型InP过渡层;位于InGaAlAs半导体层与P型InP过渡层之间的第一P型插入层,第一P型插入层为(InGaAlAs)1-x(InP)x材料。通过在InGaAlAs半导体层与P型InP过渡层之间设置第一P型插入层,将InGaAlAs半导体层与P型InP过渡层之间的导带能阶差的绝对值转换为第一P型插入层及InGaAlAs半导体层的导带能阶差的绝对值与第一P型插入层与P型InP过渡层的导带能阶差的绝对值之和,从而减小了引入的寄生电阻大小,提升了分布式反馈激光器的器件性能。
搜索关键词: 一种 分布式 反馈 激光器 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司,未经苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011397783.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top