[发明专利]一种去除LPCVD多晶硅绕镀的装置及方法

摘要

本发明公开了一种去除LPCVD多晶硅绕镀的装置及方法，属于晶硅太阳能电池技术领域。本发明的装置利用电极电解CF4‑O2气体形成等离子体对多晶硅绕度进行去除，刻蚀速度快。本发明的方法包括如下步骤：步骤一、制备PN结，并去除电池背结；步骤二、对PN结进行氧化，获得氧化层；步骤三、去除正面绕镀多晶硅表面的PSG；步骤四、利用等离子体对多晶硅绕镀进行刻蚀；步骤五、清洗氧化层并利用ALD技术和PECVD技术制备TOPCon双面电池。本发明的方法选取合适的O2浓度，保证较大的刻蚀选择比，同时增加氧化时间，以获得合适厚度的氧化层，保证刻蚀不对PN结造成影响，提高了刻蚀之后电池的合格率。