[发明专利]场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202011399259.X | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112563322A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李迪 | 申请（专利权）人： | 珠海博雅科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/788;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 519080 广东省珠海市唐家湾镇大学路*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种场效应晶体管及其制造方法，包括：衬底；外延层，位于所述衬底上；栅极结构，位于所述外延层上，包括第一介质层，浮栅，第二介质层以及控制栅，所述第一介质层位于所述外延层上；源区和漏区，位于所述栅极结构两侧的所述外延层中，其中，所述栅极结构还包括侧栅，位于所述浮栅的两侧，所述侧栅与所述控制栅电连接，所述侧栅与所述浮栅之间存在第三介质层。本申请的场效应晶体管通过在浮栅的两侧增加多晶硅层的侧栅，同时由于侧栅与控制栅电连接，因而提高了场效应晶体管的耦合系数，提高了器件的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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