[发明专利]一种空间位阻调控的TADF共轭高分子、其制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 202011399629.X 申请日: 2020-12-02
公开(公告)号: CN112521586B 公开(公告)日: 2022-05-06
发明(设计)人: 丁军桥;饶建成;王淑萌;赵磊 申请(专利权)人: 中国科学院长春应用化学研究所
主分类号: C08G61/12 分类号: C08G61/12;C09K11/06;C07C211/56;C07C209/10;H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 付丽
地址: 130022 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明提供了一种空间位阻调控的TADF共轭高分子,电子给体D和电子受体A交替连接,且电子给体D具有空间位阻基团,位于电子给体D和电子受体A连接位点的邻位;电子受体A也具有空间位阻基团,位于电子给体A和电子受体D连接位点的邻位。本发明通过在交替连接的电子给体和电子受体之间增加空间位阻基团,且将所述空间位阻基团设置在D与A连接位点的邻位,能够减弱它们之间的共轭作用,使其形成的电荷转移态的最低单‑三线态能级差(ΔEST)变小,TADF性质得到极大的提升。本发明还提供了一种空间位阻调控的TADF共轭高分子的制备方法及其应用。
搜索关键词: 一种 间位 调控 tadf 共轭 高分子 制备 方法 应用
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