[发明专利]半导体装置和设备在审
| 申请号： | 202011400660.0 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112928152A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 荻野拓海;广田克范;小林广明 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体装置和设备。半导体装置包括第一半导体层、与第一半导体层重叠的第二半导体层以及布置在它们之间的布线结构。第二半导体层设置有p型MIS晶体管。第一半导体层的晶体结构在沿着第一半导体层的主表面的方向上具有第一晶体取向和第二晶体取向。第一半导体层在沿着第一晶体取向的方向上的杨氏模量高于在沿着第二晶体取向的方向上的杨氏模量。由第一晶体取向与p型MIS晶体管的源极和漏极被布置的方向形成的角度大于30度且小于60度，并且由第二晶体取向与该方向形成的角度为0度以上且30度以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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