[发明专利]一种用于半导体设备表面钛或氮化钛膜去除工艺在审
| 申请号： | 202011401727.2 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112553630A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 薛弘宇;李伟东;管永康 | 申请（专利权）人： | 江苏凯威特斯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/38 | 分类号： | C23F1/38;C23G1/20;C23G1/22;B08B3/02 |
| 代理公司： | 无锡苏元专利代理事务所(普通合伙) 32471 | 代理人： | 吴忠义 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体设备表面钛或氮化钛膜去除工艺，该工艺包括以下步骤：化学品清洗，取适量的氨水、双氧水与水，按照配比1：3‑4:4‑6配制，并在配制而成的液体中常温下浸泡30min‑60min，直至表面古铜色污染物转变为紫黑色；超高压水枪冲洗，水枪头部距污染物15±5cm，冲洗20‑40s，直至表面污染物完全去除。该种用于半导体设备表面钛或氮化钛膜去除工艺，用化学品浸泡一段时间后，其表面钛或氮化钛膜被腐蚀，与产品界面结合强度降低，再采用超高压水枪冲洗去除污染物。本发明因不需要将表面钛或氮化钛膜完全通过浸泡腐蚀掉，大大缩短了工艺时长，提高了生产效率，同时减少了化学品的消耗，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体设备 表面 氮化 去除 工艺 | ||
【主权项】：
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