[发明专利]横向双扩散晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 202011404972.9 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112599599B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 陈斌 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;刘静 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体技术领域，提供了一种横向双扩散晶体管及其制造方法，形成的该横向双扩散晶体管包括：依次形成在衬底上的埋层、第一外延层和第二外延层，并在该第一外延层与第二外延层之间横向间隔设置有多个隔离层；位于该第二外延层中的第一漂移区和位于该第一漂移区两侧的高压阱区，且在该第一漂移区中横向间隔分布有的多个浮空掺杂区；间隔设置在第二外延层上表面的多个沟槽；以及横向间隔分布在该第二外延层上相邻两个沟槽之间的多个体区，每个体区均通过相同掺杂类型的浮空掺杂区与上下位置对应的隔离层相接触，形成具有超结结构的体区。由此可在器件中实现增强体区耗尽和RESURF的作用，以获得更高耐压和更低的导通电阻，提高器件电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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