[发明专利]碳化硅晶体生长方法及生长装置在审
| 申请号： | 202011405558.X | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112663136A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 马远;潘尧波 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅晶体生长方法及生长装置，生长装置包括：长晶炉组件、气囊防护组件、操作台、升降机构以及设置在气囊主体上的操作孔组件，其中，气囊防护组件中形成密封操作腔室，操作台上可以放置需要更换的物料，并在操作腔室中进行物料更换等操作。本发明的碳化硅晶体生长方法及生长装置，可以解决碳化硅晶体生长过程中有害气体影响的问题，通过对生长装置进行设计，并基于工艺条件控制，基于气囊形成密封操作腔室，使得使长晶炉主体在开装炉过程中可以免除有害气体对炉膛、石墨保温与坩埚、原料等的污染，以降低长晶过程中排氮的难度，从而提升碳化硅晶体的质量与性能。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶体生长 方法 生长 装置 | ||
【主权项】：
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